Docteure en physique des matériaux et nanomatériaux
Je caractérise des couches minces d'oxydes high-κ pour les composants microélectroniques de nouvelle génération.
Mes travaux portent sur les diélectriques à haute permittivité les oxydes dits high-κ qui remplacent le dioxyde de silicium comme isolant de grille dans les transistors modernes.
En combinant dépôt de couches minces et méthodes de caractérisation structurale, chimique et électrique, j'étudie comment la composition et la microstructure d'un oxyde gouvernent ses performances : permittivité, stabilité de l'interface avec le silicium et courants de fuite. L'objectif est de relier ce que l'on observe à l'échelle atomique au comportement du composant final.
Mes recherches s'inscrivent au sein du laboratoire LaPhyMNE, à la Faculté des Sciences de Gabès (Université de Gabès), à l'interface entre science des matériaux et ingénierie des dispositifs. Mon travail va de l'élaboration de couches minces — oxydes diélectriques, sulfures semi-conducteurs — jusqu'à leur caractérisation fine et l'étude de leurs propriétés fonctionnelles.
Hétérostructures ZrO₂/SrTiO₃, dispositifs à base de Ta₂O₅ : propriétés diélectriques, permittivité et non-linéarité pour la microélectronique.
Dépôt de films nanométriques (pulvérisation, spray pyrolyse), recuit thermique et contrôle de la microstructure sur substrats.
Sulfure d'indium (In₂S₃) pour le photovoltaïque et la photocatalyse : effets du recuit sur les propriétés physiques.
Diffraction des rayons X, microscopie électronique (MEB / MET) et propriétés optiques des couches et poudres.
Mesures capacité–tension et courant–tension : extraction de la permittivité, du comportement diélectrique et des courants de fuite.
La miniaturisation des transistors impose de remplacer le SiO₂ par des oxydes à plus forte permittivité afin de réduire les courants de fuite tout en conservant une capacité de grille élevée. Ce travail associe l'élaboration de couches minces d'oxydes high-κ à une caractérisation multi-échelle structurale, chimique et électrique pour relier microstructure, qualité d'interface et performances du diélectrique.
Faculté des Sciences de Gabès, Université de Gabès (LaPhyMNE). Thèse : « Caractérisation de couches minces à base d'oxyde high-κ pour la microélectronique ».
Faculté des Sciences de Gabès, Université de Gabès. Mention Assez Bien.
Faculté des Sciences de Gabès, Université de Gabès.
Séjours de recherche menés au G2Elab (Laboratoire de Génie Électrique de Grenoble) dans le cadre de la thèse.
Sept. – nov. 2023 · 3 mois · Grenoble, France. Caractérisation diélectriquesde couches minces pour la microélectronique.
Mai – juil. 2021 · 3 mois · Grenoble, France. Travaux expérimentaux sur les diélectriques high-κ dans le cadre de la thèse.
Articles publiés dans des revues internationales à comité de lecture.
Comportement non linéaire à basse tension d'une structure métal–isolant–métal empilant Ta₂O₅ et SiO₂, pour l'électronique de commutation.
Propriétés diélectriques d'hétérostructures ZrO₂/SrTiO₃ envisagées comme isolants de grille high-κ pour la microélectronique.
Couches minces d'In₂S₃ dopées à l'argent déposées par spray pyrolyse puis recuites sous vide : lien entre propriétés physiques et activité photocatalytique.
Influence de la température de recuit sur une poudre de β-In₂S₃, matériau tampon pour les cellules solaires en couches minces.
Caractérisation de l'oxydation induite par recuit thermique de poudres cristallines d'In₂S₃, semi-conducteur pour le photovoltaïque en couches minces.
Ouverte aux projets de recherche, missions et échanges scientifiques.